{"id":15312,"date":"2024-04-19T11:20:18","date_gmt":"2024-04-19T11:20:18","guid":{"rendered":"https:\/\/msa-components.com\/?post_type=showcase&p=15312"},"modified":"2026-06-23T08:39:18","modified_gmt":"2026-06-23T08:39:18","slug":"ddr4-speichermodul-fur-den-verteidigungsbereich","status":"publish","type":"showcase","link":"https:\/\/msa-components.com\/de\/showcase\/ddr4-speichermodul-fur-den-verteidigungsbereich\/","title":{"rendered":"Neues 64Gbit x72bits DDR4-Speichermodul f\u00fcr Verteidigungsanwendungen"},"content":{"rendered":"\n
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64Gbit x72bits DDR4-Speichermodul f\u00fcr Verteidigungsanwendungen<\/h1>\n\n\n\n

Erf\u00fcllt die MIL-STD-810 Standards <\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

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\u00dcber die\u00a0integrierte Technologie<\/mark><\/h2>\n\n\n\n
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Der 3D4D64G72LB2809 ist ein Hochgeschwindigkeits-DDR4-SDRAM mit einer Kapazit\u00e4t von 64 Gbit, der als 1024 M \u00d7 64 Bit organisiert ist, zuz\u00fcglich 8 Bit f\u00fcr den Fehlerkorrekturcode (ECC). Dieser synchrone Speicherbaustein erreicht eine maximale \u00dcbertragungsrate von bis zu 2400 MT\/s (DDR4-2400) und liefert eine Gesamtdatenbandbreite von 153,6 Gbps. Er unterst\u00fctzt wichtige DDR4-SDRAM-Funktionen, darunter \u201ePosted CAS\u201c mit programmierbarer additiver Latenz, \u201eOn-Die Termination\u201c (ODT) sowie eine programmierbare Treiberst\u00e4rke f\u00fcr Datensignale, und arbeitet mit einer Taktfrequenz von 1200 MHz.<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

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Die Steuer- und Adress-Eing\u00e4nge werden mithilfe eines Paares extern bereitgestellter differentieller Taktsignale synchronisiert, wobei die Eing\u00e4nge am \u00dcbergangspunkt zwischen dem ansteigenden CK_t- und dem abfallenden CK_c-Signal zwischengespeichert werden. Alle Ein- und Ausgabevorg\u00e4nge werden quellsynchron mit bidirektionalen differentiellen Datenstrobes (DQS_t und DQS_c) synchronisiert. Der Adressbus verarbeitet Zeilen-, Spalten- und Bankadressinformationen \u00fcber RAS_n- und CAS_n-Multiplexing. Zus\u00e4tzlich wird die Datenbusinversion (DBI) eingesetzt, um den Stromverbrauch zu senken und Ground-Bounce zu minimieren.<\/p>\n\n\n\n

Das Ger\u00e4t ben\u00f6tigt zwei Spannungsversorgungen: 1,2 V f\u00fcr VDD und VDDQ sowie 2,5 V f\u00fcr die VPP-Wordline-Versorgung. Dieser DDR4-SDRAM eignet sich f\u00fcr Speicheranwendungen mit hoher Speicherdichte, die eine hohe Daten\u00fcbertragungsgeschwindigkeit erfordern.<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

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Wichtigste Merkmale
des 64Gbit x72bits DDR4-SDRAM<\/mark><\/h2>\n<\/div>\n\n\n\n
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