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2Gbit DDR2 SDRAM (3D2D2G08US2662)

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Jede Bank verfügt über eine 8-Bit-Schnittstelle und wird über spezifische #CS-, CKE-, #CK-, CK- und ODT-Signale angesteuert. Alle übrigen Signale werden von den beiden 1-Gbit-DDR2-SDRAM-Speicherbausteinen gemeinsam genutzt. Der Baustein eignet sich hervorragend für Systemanwendungen, die hohe Zuverlässigkeit, Leistungsfähigkeit und Speicherdichte erfordern, wie etwa Solid-State-Massenspeicher, Server oder Workstations.
Das Modell 3D2D2G08US2662 ist in einem 74-poligen SOP-Gehäuse untergebracht.

Fabio Asti

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Fabio Asti
Business Developement Manager
Call +49 2722 6373 20 markus.schulte@msa-components.com
  • Organisation: 256 M × 8 Bit, basierend auf zwei 1-Gbit-DDR2-SDRAMs.
  • Spannungsversorgung: +1,8 V ± 0,1 V.
  • SSTL_18-Schnittstelle.
  • Unterstützung für Burst-Lese-/Schreibbetrieb sowie Burst-Lese-/Einzel-Schreibbetrieb.
  • Burst-Länge (BL):

    • 4
    • 8
  • Burst-Typ (BT):

    • Sequenziell (BL = 4, 8)
    • Interleaved (BL = 4, 8)
  • Programmierbare CAS-Latenz (CL):

    • 3
    • 4
    • 5
  • Option für automatische Vorladung (Auto-Precharge) bei jedem Burst-Zugriff.
  • Refresh-Zyklen: 8192 Refresh-Zyklen / 64 ms.
  • Refresh-Modi:

    • Auto-Refresh
    • Self-Refresh
  • Verfügbarer Temperaturbereich:

    • 0 °C bis +85 °C
    • -40 °C bis +105 °C
  • Erhältlich mit Screening-Option für Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit (Raumfahrt usw.).
  • Frequenz: bis zu 333 MHz.

Beschreibung

Der 3D2D2G08US2662 ist ein hochintegrierter DDR2-SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) mit hoher Geschwindigkeit und einer Kapazität von 2.147.483.648 Bit.

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