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4GBit DDR2 SDRAM (3D2D4G08US4661)

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Jede Bank verfügt über eine 8-Bit-Schnittstelle und wird über spezifische #CS-, CKE-, #CK- und CK-Signale angesteuert. Alle übrigen Signale werden von den vier 1-Gbit-DDR2-SDRAM-Speicherbausteinen gemeinsam genutzt.
Der Baustein eignet sich hervorragend für Systemanwendungen, die hohe Zuverlässigkeit, Leistungsfähigkeit und Speicherdichte erfordern, wie etwa Solid-State-Massenspeicher, Server oder Workstations.
Das Modell 3D2D4G08US4661 ist in einem 74-poligen SOP-Gehäuse untergebracht.

Fabio Asti

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Fabio Asti
Business Developement Manager
Call +49 2722 6373 20 markus.schulte@msa-components.com
  • Organisiert als 512 M × 8-Bit basierend auf vier 1-Gbit-DDR2-SDRAM.
  • Stromversorgung: +1,8 V ± 0,1 V.
  • SSTL_18-Schnittstelle.
  • Funktion für Burst-Lese-/Schreibvorgänge und Burst-Lese-/Einzelschreibvorgänge.
  • Burst-Länge (BL):

    • 4
    • 8
  • Burst-Typ (BT):

    • Sequentiell (BL = 4, 8)
    • Interleave (BL = 4, 8)
  • Programmierbare CAS-Latenz (CL):

    • 3
    • 4
    • 5
  • Option für automatisches Vorladen für jeden Burst-Zugriff.
  • Aktualisierungszyklen: 8192 Aktualisierungszyklen / 64 ms.
  • Aktualisierungsmodi:

    • Automatische Aktualisierung
    • Selbstaktualisierung
  • Verfügbarer Temperaturbereich:

    • 0°C bis +70°C
    • -40°C bis +85°C
  • Erhältlich mit Screening-Option für Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit (Weltraum usw.).

Beschreibung

Der 3D2D4G08US4661 ist ein hochintegrierter DDR2-SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) mit hoher Geschwindigkeit und einer Kapazität von 4.294.967.296 Bit.

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