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1 Gbit DDR2 SD RAM (3D2D1G08US1285)

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Die 8-Bit-Schnittstelle wird über die Signale #CS, CKE, #CK und CK ausgewählt.

Anpassung der Off-Chip-Treiberimpedanz und On-Die-Terminierung für eine verbesserte Signalqualität.

Der Baustein eignet sich besonders für Systemanwendungen, die hohe Zuverlässigkeit, Leistungsfähigkeit und Packungsdichte erfordern, wie etwa Solid-State-Massenspeicher, Server oder Workstations.
Der 3D2D1G08US1285 ist in einem 74-poligen SOP-Gehäuse untergebracht.

Fabio Asti

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Fabio Asti
Business Developement Manager
Call +49 2722 6373 20 markus.schulte@msa-components.com
  • Organisation: 128 M × 8 Bit, basierend auf vier 1-Gbit-DDR2-SDRAMs
  • Taktfrequenz bis zu 333 MHz
  • Spannungsversorgung: +1,8 V ± 0,1 V
  • SSTL_18-Schnittstelle
  • Unterstützung für Burst-Lese-/Schreibbetrieb sowie Burst-Lese-/Einzel-Schreibbetrieb
  • Burst-Länge (BL): 4 und 8
  • Burst-Typ (BT):

    • Sequenziell (BL = 4, 8)
    • Interleaved (BL = 4, 8)
  • Programmierbare CAS-Latenz (CL): 3, 4 und 5
  • Option für automatisches Precharge bei jedem Burst-Zugriff
  • Refresh-Zyklen: 8192 Refresh-Zyklen / 64 ms
  • Zwei Refresh-Modi: Auto-Refresh und Self-Refresh
  • Verfügbarer Temperaturbereich:

    • 0 °C bis +70 °C
    • -40 °C bis +85 °C
    • -40 °C bis +105 °C
  • Erhältlich mit Screening-Option für Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit (Raumfahrt usw.)

Beschreibung

Der 3D2D1G08US1285 ist ein hochintegrierter DDR2-SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) mit hoher Geschwindigkeit und einer Kapazität von 1.073.741.824 Bit.

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