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MNEMOSYNE – 1 Gb 3.3 V SPI (3DMN512M04VS4868)

The 1 Gbit memory module seemingly replaces any SPI NOR Flash memory by featuring a high-speed, low pin count SPI compatible bus interface with a single 1.8 V power supply. It delivers up to 100 MBps reads and writes through 8 I/O signals with a clock frequency of 100 MHz.

This native latch-up immune memory, built on a FDSOI process, is radiation hardened by design. Additional protection against transient effects is provided by an embedded controller with ECC.

In addition, an ECC flag and an error counter are present to help the user with its error management strategy. These features are helpful to extend the lifetime of the module in radiation environment.

Markus Schulte

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Markus Schulte, M.Sc.
Business Developement Manager
Call +49 2722 6373 20 markus.schulte@msa-components.com

Hauptmerkmale

Leistungsdaten

  • Speicherkapazität: 512 Mbit
  • Bis zu 25 MHz
  • 3,3-V-SPI-Schnittstelle
  • Unterstützung der Modi SPI, Dual SPI und QSPI
  • Integrierte ECC (Fehlerkorrektur)
  • 100.000 P/E-Zyklen (Schreib-/Löschzyklen)
  • 20 Jahre Datenerhalt
  • Software-Reset und Hardware-Reset-Pin
  • Boot-Konfiguration: x1, x4
  • Temperaturbereich: -55 °C bis +125 °C
  • ITAR-frei

Weltraumqualifikationen

  • Bis zu ESA-Klasse 1
  • Bis zu NASA-Level 1
  • Hohe Langlebigkeit und Zuverlässigkeit
  • Flight Heritage: Über 20 Jahre Erfahrung von 3D PLUS mit Speicherlösungen für die Raumfahrt

Strahlungsfestigkeit

  • TID > 100 krad(Si)
  • SEL LET > 85 MeV·cm²/mg
  • SEU LET > 85 MeV·cm²/mg
  • SEFI LET > 85 MeV·cm²/mg
  • SET LET > 85 MeV·cm²/mg

Beschreibung

3DMN512M04VS4868 is a high performance 1 Gbit Non-Volatile Memory with a serial interface.

Anwendungen

  • FPGA-Konfigurationsspeicher
  • Boot-/Programmspeicher für Prozessoren

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