Erfüllt die MIL-STD-810 Standards
Der 3D4D64G72LB2809 ist ein Hochgeschwindigkeits-DDR4-SDRAM mit einer Kapazität von 64 Gbit, der als 1024 M × 64 Bit organisiert ist, zuzüglich 8 Bit für den Fehlerkorrekturcode (ECC). Dieser synchrone Speicherbaustein erreicht eine maximale Übertragungsrate von bis zu 2400 MT/s (DDR4-2400) und liefert eine Gesamtdatenbandbreite von 153,6 Gbps. Er unterstützt wichtige DDR4-SDRAM-Funktionen, darunter „Posted CAS“ mit programmierbarer additiver Latenz, „On-Die Termination“ (ODT) sowie eine programmierbare Treiberstärke für Datensignale, und arbeitet mit einer Taktfrequenz von 1200 MHz.
Die Steuer- und Adress-Eingänge werden mithilfe eines Paares extern bereitgestellter differentieller Taktsignale synchronisiert, wobei die Eingänge am Übergangspunkt zwischen dem ansteigenden CK_t- und dem abfallenden CK_c-Signal zwischengespeichert werden. Alle Ein- und Ausgabevorgänge werden quellsynchron mit bidirektionalen differentiellen Datenstrobes (DQS_t und DQS_c) synchronisiert. Der Adressbus verarbeitet Zeilen-, Spalten- und Bankadressinformationen über RAS_n- und CAS_n-Multiplexing. Zusätzlich wird die Datenbusinversion (DBI) eingesetzt, um den Stromverbrauch zu senken und Ground-Bounce zu minimieren.
Das Gerät benötigt zwei Spannungsversorgungen: 1,2 V für VDD und VDDQ sowie 2,5 V für die VPP-Wordline-Versorgung. Dieser DDR4-SDRAM eignet sich für Speicheranwendungen mit hoher Speicherdichte, die eine hohe Datenübertragungsgeschwindigkeit erfordern.
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