MNEMOSYNE – 512 Mb 3.3 V SPI (3DMN512M04VS4867)

Kategorien: Strahlungsresistent / Strahlungstolerant, MNEMOSYNE, Speicher Marke: 3D Plus

Das 512-Mbit-Speichermodul ersetzt herkömmliche SPI-NOR-Flash-Speicher und verfügt über eine schnelle, SPI-kompatible Busschnittstelle mit geringer Pin-Anzahl sowie eine 3,3-V-Spannungsversorgung. Es erreicht Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 12,5 MB/s über vier I/O-Signale bei einer Taktfrequenz von 25 MHz.
Dieser auf einem FDSOI-Verfahren basierende Speicher ist von Natur aus unempfindlich gegen Latch-up-Effekte und weist eine inhärente Strahlenhärte auf.
Zusätzlichen Schutz gegen transiente Effekte bietet ein integrierter Controller mit ECC-Funktionalität.

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Fabio Asti

Business Developement Manager

+39 342 198 3878 fabio.asti@steliau.it

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Hauptmerkmale

Leistungsdaten

Speicherkapazität: 512 Mbit
Bis zu 25 MHz
3,3-V-SPI-Schnittstelle
Unterstützung der Modi SPI, Dual SPI und QSPI
Integrierte ECC (Fehlerkorrektur)
100.000 P/E-Zyklen (Schreib-/Löschzyklen)
20 Jahre Datenerhalt
Software-Reset und Hardware-Reset-Pin
Boot-Konfiguration: x1, x4
Temperaturbereich: -55 °C bis +125 °C
ITAR-frei

Weltraumqualifikationen

Bis zu ESA-Klasse 1
Bis zu NASA-Level 1
Hohe Langlebigkeit und Zuverlässigkeit
Flight Heritage: Über 20 Jahre Erfahrung von 3D PLUS mit Speicherlösungen für die Raumfahrt

Strahlungsfestigkeit

TID > 100 krad(Si)
SEL LET > 85 MeV·cm²/mg
SEU LET > 85 MeV·cm²/mg
SEFI LET > 85 MeV·cm²/mg
SET LET > 85 MeV·cm²/mg

Beschreibung

3DMN512M04VS4867 is a high performance 512 Mbit Non-Volatile Memory with a serial interface.

Anwendungen

FPGA-Konfigurationsspeicher
Boot-/Programmspeicher für Prozessoren

More information

MNEMOSYNE — Radhard Memory for Space

Downloads

3D Plus Memory Module P/N Decoder

Manufacturer Info

www.3d-plus.com

MNEMOSYNE – 512 Mb 3.3 V SPI (3DMN512M04VS4867)

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