Das 512-Mbit-Speichermodul ersetzt herkömmliche SPI-NOR-Flash-Speicher und verfügt über eine schnelle, SPI-kompatible Busschnittstelle mit geringer Pin-Anzahl sowie eine 3,3-V-Spannungsversorgung. Es erreicht Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 12,5 MB/s über vier I/O-Signale bei einer Taktfrequenz von 25 MHz.
Dieser auf einem FDSOI-Verfahren basierende Speicher ist von Natur aus unempfindlich gegen Latch-up-Effekte und weist eine inhärente Strahlenhärte auf.
Zusätzlichen Schutz gegen transiente Effekte bietet ein integrierter Controller mit ECC-Funktionalität.

Hauptmerkmale
Leistungsdaten
Weltraumqualifikationen
Strahlungsfestigkeit
3DMN512M04VS4867 is a high performance 512 Mbit Non-Volatile Memory with a serial interface.
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