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MNEMOSYNE – 512 Mb 3.3 V SPI (3DMN512M04VS4867)

Das 512-Mbit-Speichermodul ersetzt herkömmliche SPI-NOR-Flash-Speicher und verfügt über eine schnelle, SPI-kompatible Busschnittstelle mit geringer Pin-Anzahl sowie eine 3,3-V-Spannungsversorgung. Es erreicht Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 12,5 MB/s über vier I/O-Signale bei einer Taktfrequenz von 25 MHz.
Dieser auf einem FDSOI-Verfahren basierende Speicher ist von Natur aus unempfindlich gegen Latch-up-Effekte und weist eine inhärente Strahlenhärte auf.
Zusätzlichen Schutz gegen transiente Effekte bietet ein integrierter Controller mit ECC-Funktionalität.

Markus Schulte

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Markus Schulte, M.Sc.
Business Developement Manager
Call +49 2722 6373 20 markus.schulte@msa-components.com

Hauptmerkmale

Leistungsdaten

  • Speicherkapazität: 512 Mbit
  • Bis zu 25 MHz
  • 3,3-V-SPI-Schnittstelle
  • Unterstützung der Modi SPI, Dual SPI und QSPI
  • Integrierte ECC (Fehlerkorrektur)
  • 100.000 P/E-Zyklen (Schreib-/Löschzyklen)
  • 20 Jahre Datenerhalt
  • Software-Reset und Hardware-Reset-Pin
  • Boot-Konfiguration: x1, x4
  • Temperaturbereich: -55 °C bis +125 °C
  • ITAR-frei

Weltraumqualifikationen

  • Bis zu ESA-Klasse 1
  • Bis zu NASA-Level 1
  • Hohe Langlebigkeit und Zuverlässigkeit
  • Flight Heritage: Über 20 Jahre Erfahrung von 3D PLUS mit Speicherlösungen für die Raumfahrt

Strahlungsfestigkeit

  • TID > 100 krad(Si)
  • SEL LET > 85 MeV·cm²/mg
  • SEU LET > 85 MeV·cm²/mg
  • SEFI LET > 85 MeV·cm²/mg
  • SET LET > 85 MeV·cm²/mg

Beschreibung

3DMN512M04VS4867 is a high performance 512 Mbit Non-Volatile Memory with a serial interface.

Anwendungen

  • FPGA-Konfigurationsspeicher
  • Boot-/Programmspeicher für Prozessoren

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